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[发明专利]衬底表面处理方法-CN201110061792.X有效
发明人：王伟军;袁超;康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底表面处理方法，所述衬底上形成有图形化膜层，所述图形化膜层上具有难熔金属残留物，所述衬底表面处理方法包括：执行刻蚀工艺，以去除所述图形化膜层上的难熔金属残留物；其中，所述刻蚀工艺使用的刻蚀气体由反应性气体和稀释性气体组成本发明可减少对衬底表面的损伤，改善衬底表面的平整度；并且，没有增加复杂的工艺流程，对产能和生产成本不会造成明显影响。
衬底表面处理方法

[发明专利]衬底表面的蒸气清洁-CN202080046734.7在审
发明人：大卫·穆伊;杰罗姆·米歇尔·多米尼克·美莱特;南森·马塞尔怀特;迈克尔·拉夫金;马克·卡瓦古奇;伊利亚·卡利诺夫斯基 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种清洁衬底的方法包含：将所述衬底布置在处理室中；将所述处理室的压强控制在预定压强范围内；将所述处理室的温度控制在预定温度范围内；在第一期间中持续供应包含金属螫合物蒸气的蒸气混合物，以从所述衬底的表面去除金属污染物
衬底表面蒸气清洁

[发明专利]衬底表面的原位监测-CN202080073082.6在审
发明人：马尼什·兰詹;安德鲁·詹姆斯·普福;道格拉斯·希尔;道格拉斯·科勒;伯顿·威廉姆斯;尚蒂纳特·古艾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01N27/904 文献下载
摘要：在一些示例中，提供了一种真空预处理模块(VPM)计量系统，其用于测量衬底上的层的薄层电阻。所述系统可以包含：涡流传感器，所述涡流传感器包括发送器传感器与接收器传感器，所述发送器传感器与所述接收器传感器限定所述发送器传感器与所述接收器传感器之间的间隙，所述间隙用于容纳待测试的衬底的边缘。数据处理器处理所述测量信号并且产生所述衬底上的所述层的薄层电阻值。
衬底表面原位监测

[发明专利]处理衬底表面的方法-CN200480043087.5有效
发明人： F·德拉哈耶 -专利权人：里纳特种机械有限责任公司
申请日： 2004-03-22 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明一般涉及对衬底表面的处理或加工。本发明特别涉及改变硅片表面的方法。
处理衬底表面方法

[发明专利]构图衬底表面的方法-CN200480029578.4有效
发明人： D·布尔丁斯基;R·B·A·夏普 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-10-07 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：将墨水溶液涂覆到弹性印记(10)并干燥该弹性印记(10)之后，弹性印记(10)开始与第一衬底(40)的表面(42)接触。第一衬底(40)的表面(42)对墨水分子(32)具有高亲合力，使用它从凸出部件(14，14’)的接触表面(16，16’)有效地除去墨水分子(32)。随后，使弹性印记(10)与第二衬底(50)的表面(52)接触。从凸出部件(14，14’)的边缘(18，18’)将墨水分子(32)传输到第二衬底(50)的表面(52)，由此在这个表面(52)上以自组织单层的形式形成墨水图案。本发明的构图方法可使用多种墨水在衬底(50)上形成高清晰度的墨水图案。
构图衬底表面方法

[发明专利]清洗衬底表面的方法-CN200580015945.X无效
发明人：李佶洸;金正浩 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用等离子体的表面清洗装置和方法，以从硅衬底表面去除自然氧化层、化学氧化层和损伤部分以及从金属表面去除污染物。H和N的混合气体被用作第一工艺气体。通过在等离子体生成器与衬底之间的接地栅格或隔板中吸收电势，使得仅基团能够到达衬底。HF被用作第二工艺气体。因此，在通过H₂流进行退火的步骤中，硅衬底上形成的自然氧化层、化学氧化层或损伤部分被去除。通过在对每个晶片加工之后引入调节气体，腔室的环境被保持为恒定。因此，改进了工艺再现性。
清洗衬底表面方法

[发明专利]表面增强拉曼衬底的制备方法及表面增强拉曼衬底结构-CN201610191504.5在审
发明人：李俊杰;王玉瑾;全保刚;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明提供了一种表面增强拉曼衬底的制备方法及表面增强拉曼衬底结构，涉及微纳米结构的制备领域。所述制备方法包括：选取硅衬底并对硅衬底进行刻蚀以制备出硅金字塔阵列；将硅金字塔阵列放入微波等离子体化学气相沉积系统中以生长石墨烯纳米片；在石墨烯纳米片的表面包覆一层金属颗粒，从而可以获得表面增强拉曼衬底所述表面增强拉曼衬底结构通过所述制备方法制备。本发明所述制备方法，可以制备出大面积且均一的表面增强拉曼衬底，并且保证了金属颗粒的纯净以避免受到污染。同时，本发明的制备方法简单便捷，成本也较低。采用本发明制备的表面增强拉曼衬底，具有很强的拉曼增强特性和极高的灵敏度。
表面增强衬底制备方法结构

[发明专利]沉积金属或金属合金到衬底表面及包括衬底表面活化的方法-CN201780025695.0有效
发明人： C·文德林;L·施坦普;B·多塞;K·武丁格尔;G·克里列斯;T·C·L·恩古叶 -专利权人：德国艾托特克公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C18/20 文献下载
摘要：本发明涉及沉积金属或金属合金到衬底的至少一个表面的方法，所述方法包含以下步骤：(a)提供所述衬底；(b)用活化溶液处理所述衬底的所述表面，所述活化溶液包含至少一种选自由以下组成的群组的金属离子源：钌、铑、钯、锇、铱、铂、铜、银、镍、钴、金和其混合物，使得所述金属离子的至少一部分吸附到所述衬底的所述表面上；(c)利用处理溶液处理从步骤(b)获得的所述衬底的所述表面，所述处理溶液包含i)至少一种独立地选自由以下组成的群组的添加剂：硫醇、硫醚、二硫化物和含硫杂环，和ii)至少一种适于还原吸附于所述衬底的所述表面上的所述金属离子的还原剂，所述还原剂选自由以下组成的群组：基于硼的还原剂、次磷酸根离子的源、肼和肼衍生物、抗坏血酸、异抗坏血酸、甲醛的源、乙醛酸、乙醛酸的源、乙醇酸、甲酸、糖和以上所提到酸的盐；和(d)利用包含溶剂和至少一种待沉积金属离子的源的金属化溶液处理所述衬底的从步骤(c)获得的所述表面，使得金属或金属合金沉积于其上。用于衬底金属化的所述方法主要可用于电子工业中，而且可适用于金属化典型非导电衬底，例如塑料的方法中。所述方法由于其减少总体化学品的所需量而是成本有效的且生态有利的。
沉积金属合金衬底表面包括活化方法

[发明专利]形成平面化介质衬底表面以及处理半导体衬底表面的工艺-CN96195054.4无效
发明人： L·福雷斯特;D·K·菜;R·郝斯尼 -专利权人：联合讯号公司
申请日： 1996-06-26 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在衬底形貌上形成空隙填充的平面化结构的介质材料，对于形成微电子器件很有用。首先淀积介质材料作为连续的干燥的介质层，优选SOG层。然后通过化学机械抛光(CMP)除去部分介质层。
形成平面化介质衬底表面以及处理半导体工艺

[发明专利]从玻璃衬底表面除去杂质的方法和处理玻璃衬底表面的方法-CN200880022677.8无效
发明人：伊藤正文;冈村研治;小岛宏 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C03C15/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种通过伴有在玻璃衬底表面上进行束辐照或激光辐照的方法从待精加工处理的玻璃衬底表面除去杂质的方法。本发明涉及从玻璃衬底表面除去杂质的方法，所述方法包括在5～15keV的加速电压下对所述玻璃衬底表面进行气体簇离子束腐蚀。
玻璃衬底表面除去杂质方法处理

[发明专利]GaN衬底的表面处理方法-CN201710728362.6在审
发明人：姜丽娟;王晓亮;肖红领;秦彦斌;王权;郭芬 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN衬底的表面处理方法。在GaN同质衬底或GaN基板材料上进行高温热分解和再生长循环周期处理，每个循环周期包括表面高温热分解阶段和再生长阶段。本发明提供的表面处理方法能够有效降低GaN衬底表面吸附的杂质原子浓度，尤其是Si原子的浓度；可以避免因杂质原子引起的寄生导电沟道，导致GaN基HEMT器件的缓冲层发生漏电；同时，可以抑制GaN外延生长表面的质量因高温分解而恶化，改善后续GaN外延界面和表面的质量。
gan 衬底表面处理方法

[发明专利]在衬底上的平坦表面-CN202211140357.0在审
发明人： F·阿姆斯特朗 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请公开了在衬底上的平坦表面。一种电子设备110包括具有表面的衬底114；在表面的第一部分上的功能金属迹线116，其被电连接以在电子设备110中载运电流并具有第一密度；以及在表面的第二部分上的虚拟金属迹线118，其与功能金属迹线116
衬底平坦表面

[发明专利]硅衬底的表面改性方法-CN201510315465.0有效
发明人：闫发旺;张峰;王文宇 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅衬底的表面改性方法，用于在MOCVD工艺生长GaN衬底前的预处理，包括如下步骤采用改性离子注入至生长表面，所述改性离子中包括Al元素，还包括氮元素和氧元素中的至少一种。采用上述方法表面改性后的硅衬底可以用于高质量的氮化物的外延生长，其能避免氮化镓生长时镓液滴回融腐蚀现象，缓解应力，无裂纹产生，使晶体质量提高。本发明的优点在于，经过离子注入退火工艺后，硅衬底与氮化镓材料之间的晶格常数和热涨系数失配及应力问题得到很好的改善。本发明具有易操作、可控性好等优点，使外延生长条件窗口更宽。
衬底表面改性方法

[发明专利]锗基衬底表面钝化方法-CN201210397259.5有效
发明人：黄如;林猛;云全新;李敏;王佳鑫;安霞;黎明;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。
衬底表面钝化方法

[发明专利]铁氧体单晶衬底表面活化方法-CN202110811408.7有效
发明人：李阳;李俊;帅世荣;魏占涛;陈运茂;游斌;蓝江河;肖礼康 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁氧体单晶衬底表面活化方法，属于微波铁氧体技术领域；其步骤包括：先用含有三氯甲烷‑正乙烷等的混合溶液清洗，再用酸性溶液清洗，最后用氨水清洗；本发明的方法仅需要三步清洗，步骤简单，操作容易，成本和效率均较低；并且，采用本发明的方法，可以实现铁氧体衬底的表面活化，改善衬底表面缺陷，减小表面应力，提高成膜质量，从而更容易获得位错密度小、结晶度高的高质量铁氧体外延晶体。
铁氧体衬底表面活化方法

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